Designed for narrowband jamming and EMC immunity testing, this high-power amplifier operates between 2300 MHz and 2500 MHz.
Powered by advanced Gallium Nitride (GaN) solid-state technology, it delivers a minimum saturated output power of 100 W with a gain of 50 dB. This amplifier ensures state-of-the-art power performance with excellent efficiency and linearity, making it ideal for general laboratory measurement applications. The EMC2G32G550C offers a robust and reliable solution for demanding RF environments.
| نطاق التردد | 2300 - 2500 ميغاهيرتز |
| الطاقة المشبعة (بسات) | 100 ث (دقيقة) |
| كسب الطاقة | 50 ديسيبل (الطباع) |
| استواء الكسب | ± 1.0 ديسيبل (الحد الأقصى) |
| التوافقيات (@ 50 واط) | -25 ديسيبل (نوع) |
| إشارات زائفة | -55 ديسيبل (نوع) |
| فقدان إرجاع الإدخال | -10 ديسيبل (الحد الأقصى) |
| مزود الطاقة | 100-240 فولت @ 50/60 هرتز |
| موصلات | موصل N دقيق (أنثى) |
| تبريد | الهواء القسري |
| الأبعاد (الطول×العرض×الارتفاع) | 485 × 482 × 180 مم |
| وزن | 20 كجم |
| درجة حرارة التشغيل | -40 إلى +60 درجة مئوية |