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EMC1G6G40C
AMPLIFICADOR DE POTENCIA RF
1 GHz - 6 GHz / 10 Watts
Designed for broadband jamming and EMC immunity testing, this high-power amplifier operates between 1 GHz and 6 GHz.
Powered by advanced Gallium Nitride (GaN) solid-state technology, it delivers a typical saturated output power of 10 W (40 dBm) with a gain of 30 dB. This amplifier ensures state-of-the-art power performance with excellent efficiency and linearity, making it ideal for general laboratory measurement applications. The EMC1G6G40C offers a robust and reliable solution for demanding RF environments.
Características clave
- Cobertura de frecuencia de banda ancha 1 GHz - 6 GHz
- Potencia de salida saturada 10 W típica
- Tecnología avanzada de estado sólido GaN
- High Gain (30 dB typical)
- Circuitos integrados de control y protección.
- Ideal para pruebas de EMC/EMI y aplicaciones de interferencia
- Construcción robusta para confiabilidad
Presupuesto
| Rango de frecuencia | 1 - 6 GHz |
| Potencia saturada (Psat) | 10 W (típico) @ 40 dBm |
| Ganancia de potencia | 30 dB (típico) |
| Planitud de ganancia | ± 2,0 dB (máx.) |
| Armónicos (@ 5W) | -10 dBc (típico) |
| Señales espurias | -60 dBc (típico) |
| Pérdida de retorno de entrada | -10 dB (típico) |
| Fuente de alimentación | 100-240 V a 50/60 Hz |
| Conectores | Hembra de precisión tipo N |
| Enfriamiento | Aire forzado |
| Dimensiones (LxAnxAl) | 485x482x180 mm |
| Peso | 20 kg |
| Temperatura de funcionamiento | -40 a +60 °C |
Archivos adjuntos y datos de rendimiento
