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EMC1G6G40C
AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE RF
1 GHz - 6 GHz / 10 Watts
Designed for broadband jamming and EMC immunity testing, this high-power amplifier operates between 1 GHz and 6 GHz.
Powered by advanced Gallium Nitride (GaN) solid-state technology, it delivers a typical saturated output power of 10 W (40 dBm) with a gain of 30 dB. This amplifier ensures state-of-the-art power performance with excellent efficiency and linearity, making it ideal for general laboratory measurement applications. The EMC1G6G40C offers a robust and reliable solution for demanding RF environments.
Principales fonctionnalités
- Couverture de fréquence haut débit 1 GHz - 6 GHz
- Puissance de sortie saturée 10 W typique
- Technologie avancée GaN à semi-conducteurs
- High Gain (30 dB typical)
- Circuits de contrôle et de protection intégrés
- Idéal pour les tests CEM/EMI et les applications de brouillage
- Construction robuste pour la fiabilité
Caractéristiques
| Gamme de fréquences | 1 à 6 GHz |
| Puissance saturée (Psat) | 10 W (type) à 40 dBm |
| Gain de puissance | 30 dB (type) |
| Planéité de gain | ± 2,0 dB (maximum) |
| Harmoniques (@ 5W) | -10 dBc (type) |
| Signaux parasites | -60 dBc (type) |
| Perte de retour d'entrée | -10 dB (type) |
| Alimentation | 100-240 V à 50/60 Hz |
| Connecteurs | Femelle de précision de type N |
| Refroidissement | Air forcé |
| Dimensions (LxlxH) | 485 x 482 x 180 mm |
| Poids | 20 kg |
| Température de fonctionnement | -40 à +60 °C |
Pièces jointes et données de performances
