Designed for broadband jamming and EMC immunity testing, this high-power amplifier operates between 1.1 GHz and 1.7 GHz.
Powered by advanced Gallium Nitride (GaN) solid-state technology, it delivers a typical saturated output power of 100 W with a gain of 50 dB. This amplifier ensures state-of-the-art power performance with excellent efficiency and linearity, making it ideal for general laboratory measurement applications. The EMC1G11G750C offers a robust and reliable solution for demanding RF environments.
| نطاق التردد | 1.1 - 1.7 غيغاهيرتز |
| الطاقة المشبعة (بسات) | 100 ث (الطباع) |
| كسب الطاقة | 50 ديسيبل (الطباع) |
| استواء الكسب | ± 1.5 ديسيبل (الحد الأقصى) |
| التوافقيات (@ 80 واط) | -15 ديسيبل (نوع) |
| إشارات زائفة | -60 ديسيبل (نوع) |
| فقدان إرجاع الإدخال | -10 ديسيبل (الحد الأقصى) |
| مزود الطاقة | 100-240 فولت @ 50/60 هرتز |
| موصلات | موصل N دقيق (أنثى) |
| تبريد | الهواء القسري |
| الأبعاد (الطول×العرض×الارتفاع) | 485 × 482 × 180 مم |
| وزن | 20 كجم |
| درجة حرارة التشغيل | -40 to +85 درجة مئوية |