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EMC1G11G750C
AMPLIFICADOR DE POTENCIA RF
1.1 GHz - 1.7 GHz / 100 Watts
Designed for broadband jamming and EMC immunity testing, this high-power amplifier operates between 1.1 GHz and 1.7 GHz.
Powered by advanced Gallium Nitride (GaN) solid-state technology, it delivers a typical saturated output power of 100 W with a gain of 50 dB. This amplifier ensures state-of-the-art power performance with excellent efficiency and linearity, making it ideal for general laboratory measurement applications. The EMC1G11G750C offers a robust and reliable solution for demanding RF environments.
Características clave
- Broadband frequency coverage 1.1 GHz - 1.7 GHz
- Saturated Output Power 100 W typical
- Tecnología avanzada de estado sólido GaN
- Alta ganancia (50 dB típico)
- Circuitos integrados de control y protección.
- Ideal para pruebas de EMC/EMI y aplicaciones de interferencia
- Construcción robusta para confiabilidad
Presupuesto
| Rango de frecuencia | 1.1 - 1.7 GHz |
| Potencia saturada (Psat) | 100 W (tipo) |
| Ganancia de potencia | 50 dB (típico) |
| Planitud de ganancia | ± 1,5 dB (máx.) |
| Armónicos (@ 80W) | -15 dBc (típico) |
| Señales espurias | -60 dBc (típico) |
| Pérdida de retorno de entrada | -10 dB (máx.) |
| Fuente de alimentación | 100-240 V a 50/60 Hz |
| Conectores | Hembra de precisión tipo N |
| Enfriamiento | Aire forzado |
| Dimensiones (LxAnxAl) | 485x482x180 mm |
| Peso | 20 kg |
| Temperatura de funcionamiento | -40 to +85 °C |
Archivos adjuntos y datos de rendimiento
