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EMC1G11G750C
AMPLIFICADOR DE POTÊNCIA RF
1.1 GHz - 1.7 GHz / 100 Watts
Designed for broadband jamming and EMC immunity testing, this high-power amplifier operates between 1.1 GHz and 1.7 GHz.
Powered by advanced Gallium Nitride (GaN) solid-state technology, it delivers a typical saturated output power of 100 W with a gain of 50 dB. This amplifier ensures state-of-the-art power performance with excellent efficiency and linearity, making it ideal for general laboratory measurement applications. The EMC1G11G750C offers a robust and reliable solution for demanding RF environments.
Principais recursos
- Broadband frequency coverage 1.1 GHz - 1.7 GHz
- Saturated Output Power 100 W typical
- Tecnologia avançada de estado sólido GaN
- Alto ganho (50 dB típico)
- Circuitos integrados de controle e proteção
- Ideal para testes EMC/EMI e aplicações de interferência
- Construção robusta para confiabilidade
Especificações
| Faixa de frequência | 1.1 - 1.7 GHz |
| Potência Saturada (Psat) | 100 W (tipo) |
| Ganho de potência | 50 dB (tipo) |
| Planicidade de ganho | ± 1,5 dB (máx.) |
| Harmônicos (@ 80W) | -15 dBc (tipo) |
| Sinais Espúrios | -60 dBc (tipo) |
| Perda de retorno de entrada | -10 dB (máx.) |
| Fonte de energia | 100-240 V a 50/60 Hz |
| Conectores | Fêmea de precisão tipo N |
| Resfriamento | Ar Forçado |
| Dimensões (CxLxA) | 485x482x180 milímetros |
| Peso | 20 kg |
| Temperatura operacional | -40 to +85 °C |
Anexos e dados de desempenho
