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EMC1G11G750C
AMPLIFICATORE DI POTENZA RF
1.1 GHz - 1.7 GHz / 100 Watts
Designed for broadband jamming and EMC immunity testing, this high-power amplifier operates between 1.1 GHz and 1.7 GHz.
Powered by advanced Gallium Nitride (GaN) solid-state technology, it delivers a typical saturated output power of 100 W with a gain of 50 dB. This amplifier ensures state-of-the-art power performance with excellent efficiency and linearity, making it ideal for general laboratory measurement applications. The EMC1G11G750C offers a robust and reliable solution for demanding RF environments.
Caratteristiche principali
- Broadband frequency coverage 1.1 GHz - 1.7 GHz
- Saturated Output Power 100 W typical
- Tecnologia avanzata allo stato solido GaN
- Guadagno elevato (50 dB tipico)
- Circuiti di controllo e protezione integrati
- Ideale per test EMC/EMI e applicazioni di disturbo
- Costruzione robusta per affidabilità
Specifiche
| Gamma di frequenza | 1.1 - 1.7 GHz |
| Potenza satura (Psat) | 100 W (tip.) |
| Guadagno di potenza | 50 dB (tipico) |
| Planarità di guadagno | ± 1,5 dB (massimo) |
| Armoniche (@ 80W) | -15 dBc (tipico) |
| Segnali spuri | -60 dBc (tipico) |
| Perdita di ritorno in ingresso | -10 dB (massimo) |
| Alimentazione elettrica | 100-240 V a 50/60 Hz |
| Connettori | Femmina di precisione di tipo N |
| Raffreddamento | Aria forzata |
| Dimensioni (LxPxA) | 485×482×180 mm |
| Peso | 20 kg |
| Temp. operativa | -40 to +85 °C |
Allegati e dati sulle prestazioni
