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EMC1G11G750C
AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE RF
1.1 GHz - 1.7 GHz / 100 Watts
Designed for broadband jamming and EMC immunity testing, this high-power amplifier operates between 1.1 GHz and 1.7 GHz.
Powered by advanced Gallium Nitride (GaN) solid-state technology, it delivers a typical saturated output power of 100 W with a gain of 50 dB. This amplifier ensures state-of-the-art power performance with excellent efficiency and linearity, making it ideal for general laboratory measurement applications. The EMC1G11G750C offers a robust and reliable solution for demanding RF environments.
Principales fonctionnalités
- Broadband frequency coverage 1.1 GHz - 1.7 GHz
- Saturated Output Power 100 W typical
- Technologie avancée GaN à semi-conducteurs
- Gain élevé (50 dB typique)
- Circuits de contrôle et de protection intégrés
- Idéal pour les tests CEM/EMI et les applications de brouillage
- Construction robuste pour la fiabilité
Caractéristiques
| Gamme de fréquences | 1.1 - 1.7 GHz |
| Puissance saturée (Psat) | 100 W (type) |
| Gain de puissance | 50 dB (type) |
| Planéité de gain | ± 1,5 dB (maximum) |
| Harmoniques (@ 80W) | -15 dBc (type) |
| Signaux parasites | -60 dBc (type) |
| Perte de retour d'entrée | -10 dB (maximum) |
| Alimentation | 100-240 V à 50/60 Hz |
| Connecteurs | Femelle de précision de type N |
| Refroidissement | Air forcé |
| Dimensions (LxlxH) | 485 x 482 x 180 mm |
| Poids | 20 kg |
| Température de fonctionnement | -40 to +85 °C |
Pièces jointes et données de performances
