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EMC08G1G50C
AMPLIFICADOR DE POTENCIA RF
800 MHz - 1000 MHz / 100 Watts
Designed for narrowband jamming and EMC immunity testing, this high-power amplifier operates between 800 MHz and 1000 MHz.
Powered by advanced Gallium Nitride (GaN) solid-state technology, it delivers a minimum saturated output power of 100 W with a gain of 50 dB. This amplifier ensures state-of-the-art power performance with excellent efficiency and linearity, making it ideal for general laboratory measurement applications. The EMC08G1G50C offers a robust and reliable solution for demanding RF environments.
Características clave
- Narrowband frequency coverage 800 MHz - 1000 MHz
- Minimum Saturated Output Power 100 W
- Tecnología avanzada de estado sólido GaN
- Alta ganancia (50 dB típico)
- Circuitos integrados de control y protección.
- Ideal para pruebas de EMC/EMI y aplicaciones de interferencia
- Construcción robusta para confiabilidad
Presupuesto
| Rango de frecuencia | 800 - 1000 megahercio |
| Potencia saturada (Psat) | 100 W (mín.) |
| Ganancia de potencia | 50 dB (típico) |
| Planitud de ganancia | ± 1.0 dB (máx.) |
| Armónicos (@ 50W) | -25 dBc (típico) |
| Señales espurias | -55 dBc (típico) |
| Pérdida de retorno de entrada | -10 dB (máx.) |
| Fuente de alimentación | 100-240 V a 50/60 Hz |
| Conectores | Hembra de precisión tipo N |
| Enfriamiento | Aire forzado |
| Dimensiones (LxAnxAl) | 485x482x180 mm |
| Peso | 20 kg |
| Temperatura de funcionamiento | -40 a +60 °C |
Archivos adjuntos y datos de rendimiento
