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EMC08G1G50C
AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE RF
800 MHz - 1000 MHz / 100 Watts
Designed for narrowband jamming and EMC immunity testing, this high-power amplifier operates between 800 MHz and 1000 MHz.
Powered by advanced Gallium Nitride (GaN) solid-state technology, it delivers a minimum saturated output power of 100 W with a gain of 50 dB. This amplifier ensures state-of-the-art power performance with excellent efficiency and linearity, making it ideal for general laboratory measurement applications. The EMC08G1G50C offers a robust and reliable solution for demanding RF environments.
Principales fonctionnalités
- Narrowband frequency coverage 800 MHz - 1000 MHz
- Minimum Saturated Output Power 100 W
- Technologie avancée GaN à semi-conducteurs
- Gain élevé (50 dB typique)
- Circuits de contrôle et de protection intégrés
- Idéal pour les tests CEM/EMI et les applications de brouillage
- Construction robuste pour la fiabilité
Caractéristiques
| Gamme de fréquences | 800 - 1000 MHz |
| Puissance saturée (Psat) | 100 W (minutes) |
| Gain de puissance | 50 dB (type) |
| Planéité de gain | ± 1.0 dB (maximum) |
| Harmoniques (@ 50W) | -25 dBc (type) |
| Signaux parasites | -55 dBc (type) |
| Perte de retour d'entrée | -10 dB (maximum) |
| Alimentation | 100-240 V à 50/60 Hz |
| Connecteurs | Femelle de précision de type N |
| Refroidissement | Air forcé |
| Dimensions (LxlxH) | 485 x 482 x 180 mm |
| Poids | 20 kg |
| Température de fonctionnement | -40 à +60 °C |
Pièces jointes et données de performances
