Designed for narrowband jamming and EMC immunity testing, this high-power amplifier operates between 800 MHz and 1000 MHz.
Powered by advanced Gallium Nitride (GaN) solid-state technology, it delivers a minimum saturated output power of 100 W with a gain of 50 dB. This amplifier ensures state-of-the-art power performance with excellent efficiency and linearity, making it ideal for general laboratory measurement applications. The EMC08G1G50C offers a robust and reliable solution for demanding RF environments.
| Частотный диапазон | 800 - 1000 МГц |
| Насыщенная мощность (Psat) | 100 Вт (мин) |
| Прирост мощности | 50 дБ (тип.) |
| Неравномерность усиления | ± 1.0 дБ (макс.) |
| Гармоники (@ 50 Вт) | -25 дБн (тип.) |
| Ложные сигналы | -55 дБн (тип.) |
| Входные обратные потери | -10 дБ (макс.) |
| Источник питания | 100–240 В при 50/60 Гц |
| Разъемы | Прецизионная розетка N-типа |
| Охлаждение | Принудительный воздух |
| Размеры (ДxШxВ) | 485 х 482 х 180 мм |
| Масса | 20 кг |
| Рабочая температура | от -40 до +60 °С |